制作立体神经微电极的方法
- 专利权人:
- 中国科学院半导体研究所
- 发明人:
- 裴为华,赵辉,王宇,陈三元,汤戎昱,陈远方,陈弘达
- 申请号：
- CN201110409793.9
- 公开号：
- CN102512151A
- 申请日:
- 2011.12.09
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 一种制作立体神经微电极的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底正反面生长掩膜，并做对称图案化处理，得到微电极阵列的原始形状；步骤3：从衬底正反面同时刻蚀，将多余部分去除；步骤4：去除剩余的掩膜；步骤5：对上述步骤得到的结构，采用腐蚀的方法进行光滑和变尖处理，得到微电极阵列，该微电极阵列包括多个电极，该电极的尾端相连接；步骤6：在微电极阵列的表面生长金属层；步骤7：在微电极阵列表面的金属层上再生长绝缘层，并将连接点和记录点的绝缘层刻蚀掉。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
