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Phonon-enhanced crystal growth and lattice healing
专利权人:
Anthony Buonassisi
发明人:
Anthony Buonassisi,Mariana Bertoni,Bonna Newman
申请号:
US12959795
公开号:
US08450704B2
申请日:
2010.12.03
申请国别(地区):
US
年份:
2013
代理人:
摘要:
A system for modifying dislocation distributions in semiconductor materials is provided. The system includes one or more vibrational sources for producing at least one excitation of vibrational mode having phonon frequencies so as to enhance dislocation motion through a crystal lattice.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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