Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers and related devices and methods

• 收藏
• 分享

专利权人:

バタフライ;ネットワーク，インコーポレイテッド

发明人:

ロスバーグ，ジョナサン，エム．,ファイフ，キース，ジー．,サンチェス，ネバダ，ジェイ．,アリー，スーザン，エー．

申请号：

JP2017506631

公开号：

JP6636502B2

申请日:

2015.04.17

申请国别(地区):

JP

年份:

2020

代理人:

摘要：

Micromachined ultrasonic transducers formed in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers are described, as are methods of fabricating such devices. A metallization layer of a CMOS wafer may be removed by sacrificial release to create a cavity of an ultrasonic transducer. Remaining layers may form a membrane of the ultrasonic transducer.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/