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一种含银离子的正畸托槽
专利权人:
叶年嵩
发明人:
叶年嵩,赖文莉
申请号:
CN201320349646.1
公开号:
CN203280514U
申请日:
2013.06.18
申请国别(地区):
CN
年份:
2013
代理人:
摘要:
本实用新型公开了一种含银离子的正畸托槽,包括金属材质的托槽底板和托槽体,托槽底板的反面为粘接面,托槽底板的正面固定连接托槽体,托槽体上形成有多个托槽翼和托槽槽沟,多个托槽翼分布于托槽槽沟的两侧,所述托槽底板正面和侧面的表面层是深度为0.01~0.1mm银离子注入层,所述托槽体及其托槽翼、托槽槽沟的表面层是深度为0.01~0.1mm银离子注入层。本技术方案在托槽的金属材料表面通过离子注入等技术形成银离子注入层,这样可以杀灭附着其周边的一些致龋细菌:如变形链球菌、放线菌、乳杆菌、酵母菌,从而使其产生明显的抑菌效果,避免或降低患龋齿的风险。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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