SHIN, DONG HUI,신동희,KIM, TAE WOO,김태우,YUN, MIN SEOK,윤민석,HEO, SUNG KYN,허성근,SHIN, DONG HUIKR,KIM, TAE WOOKR,YUN, MIN SEOKKR,HEO, SUNG KYNKR
申请号：
KR1020160055463
公开号：
KR1020170029370A
申请日:
2016.05.04
申请国别(地区):
KR
年份:
2017
代理人:
摘要：
The present invention provides a direct conversion type X-ray detector, comprising: a first electrode on a substrate； a semiconductor structure having a photoelectric substance using a perovskite substance on the first electrode； and a second electrode on the semiconductor structure.본 발명은 기판 상의 제1전극과； 상기 제1전극 상의 페로브스카이트(perovskite) 물질을 사용한 광전물질을 포함하는 반도체구조물과； 상기 반도체구조물 상의 제2전극을 포함하는 직접 변환방식의 X선 디텍터를 제공한다.
