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中子捕获治疗系统
专利权人:
中硼(厦门)医疗器械有限公司
发明人:
陈韦霖,江涛
申请号:
CN201920520390.3
公开号:
CN210728446U
申请日:
2019.17.04
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
一种中子捕获治疗系统,能够防止射束整形体材料本身变形损坏,改善中子射源的通量与品质。本实用新型的中子捕获治疗系统,包括中子产生装置和射束整形体,中子产生装置包括加速器和靶材,加速器加速产生的带电粒子线与靶材作用产生中子,中子形成中子束,中子束限定一根主轴,射束整形体包括缓速体、反射体和辐射屏蔽体,射束整形体还包括容纳缓速体的框架。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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