Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Nachbehandlung von Zirkonoxid- Implantatprodukten, das zur Sterilisation einer Beta-, Gamma- oder sonstiger energiereicher Strahlung ausgesetzt worden ist. Erfindungsgemäss ist vorgesehen, dass nach der Exposition mit energiereicher Strahlung als anschliessender Verfahrensschritt eine Temperierung des in der Verpackung angeordneten Implantatprodukts bei einer Temperatur zwischen 60 und 150 Grad Celsius bei einer definierten Verweildauer erfolgt.The invention relates to a method for the post-treatment of zirconia implant products which have been exposed to beta, gamma or some other form of energy-rich radiation for the purpose of sterilization. According to the invention, after exposure to energy-rich radiation, the implant product arranged in the packaging is brought to a temperature between 60 and 150 degrees Celsius at a defined residence time as a subsequent method step.L'invention concerne un procédé de post-traitement de produits d'implants stérilisés en zircone qui ont été soumis à une stérilisation par un rayon à haute énergie bêta, gamma ou autre, ledit procédé consistant à soumettre à un revenu le produit d'implant disposé dans son emballage à une température comprise entre 60 et 150 degrés Celsius pendant un temps de séjour défini, après l'exposition au rayon à haute énergie.
