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低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及装置
- 专利权人:
- 中国科学院金属研究所
- 发明人:
- 侯鹏翔,刘畅,成会明,石超,丛洪涛
- 申请号：
- CN201410140855.4
- 公开号：
- CN103922310B
- 申请日:
- 2014.04.09
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 张志伟
- 摘要：
- 本发明涉及碳纳米管的制备技术，具体为一种低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及其专用装置。催化剂前驱体、生长促进剂、惰性剂粉末在常温下混合均匀，由载气及碳源匀速、极低量输入反应区，反应区为垂直或水平管式炉。其中生长温度为500～1000℃，催化剂前驱体为Fe、Ni或Co的有机化合物、无机盐、纯金属粉末等，供量为2×10-8～2.9×10-7克当量/小时·cm2；生长促进剂为含硫有机物，供量为1×10-10～2.9×10-9克当量/小时·cm2；碳源为小分子碳氢化合物，供量为1×10-5～3.9×10-4克当量碳/分钟·cm2；载气为氩气或氮气或氦气或氢气，供量为1～100ml/分钟·cm2。生长过程中根据需要通入刻蚀剂，实现低成本、低能耗、宏量生产高纯度、高质量、平直、小直径碳纳米管。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
