A semiconductor element bonding structure 30 is provided with: a first silicon wafer 31, on which an electrode 34 is formed around a through hole 33 and a second silicon wafer 41, on which the first silicon wafer 31 is laminated, and a metal column section 45 inserted and fitted in the through hole 33 is formed. The metal column section 41 is provided with: a pedestal metal 43 that is provided on the second silicon wafer 41 and a low-melting-point metal 44, which is configured such that the low-melting-point metal melts and is electrically connected to the electrode 34 of the first silicon wafer 31 by being laminated on the pedestal metal 43, said low-melting-point metal having a melting point temperature that is lower than that of the pedestal metal 43.Linvention concerne une structure de collage délément à semi-conducteur (30) qui est pourvue : dune première tranche de silicium (31), sur laquelle une électrode (34) est formée autour dun trou traversant (33) et dune seconde tranche de silicium (41), sur laquelle la première tranche de silicium (31) est stratifiée, et sur laquelle une partie colonne métallique (45) insérée et ajustée dans le trou traversant est formée. La partie colonne métallique (45) est pourvue : dun métal de socle (43) qui est disposé sur la seconde tranche de silicium (41) et dun métal à bas point de fusion (44), qui est conçu de manière que le métal à bas point de fusion fonde et soit électriquement connecté à lélectrode (34) de la première tranche de silicium (31) par stratification sur le métal de socle (43), ledit métal à bas point de fusion ayant une température de point de fusion qui est inférieure à celle du métal de socle (43).半導体素子接合構造30は、貫通孔部33の周囲に電極34が形成された第1のシリコンウエハ31と、第1のシリコンウエハ31が積層され、貫通孔部33に挿嵌する金属柱部45が形成された第2のシリコンウエハ41と、を備え、金属柱部41は、第2のシリコンウエハ41に設けられた台座金属43と、台座金属43に積層されて第1のシリコンウエハ31の電極34に溶融して電気的に接合するように構成され、台座金属43よりも融点温度の低い低融点金属44と、を具備する。
