Eine Bildaufnahmeeinheit 1 umfasst: eine Bildaufnahmeeinrichtung 10, einen Laminatkörper 20, in dem eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen 21 bis 24 laminiert ist； und ein Signalkabel 30, das einen Leitungsdraht 31 und einen Schirmleitungsdraht 33 aufweist. Die Vielzahl von Halbleitervorrichtungen 21 bis 24 weist Aussparungen T21 bis T24 auf. Eine parallel zur Richtung einer optischen Achse liegende Nut T20 ist auf einer Seitenoberfläche des Laminatkörpers 20 mittels einer Vielzahl der Aussparungen T21 bis T24, die miteinander korrespondieren, ausgestaltet. Auf Aussparungsoberflächen der Halbleitervorrichtungen 21 und 23 sind Seitenelektroden 21C und 23C angebracht. Der Leitungsdraht 31 und der Schirmleitungsdraht 33 sind in den Aussparungen T21 und T23 untergebracht, die Durchmesser R21 und R23 in Übereinstimmung mit Durchmessern R31 und R33 des Leitungsdrahts 31 und des Schirmleitungsdrahts 33 aufweisen. Der Leitungsdraht 31 ist an die Seitenelektrode 21C gebondet und der Schirmleitungsdraht 33 ist an die Seitenelektrode 23C gebondet.An image pickup unit 1 includes: an image pickup device 10, a laminate body 20 in which a plurality of semiconductor devices 21 to 24 are laminated； and a signal cable 30 having a lead wire 31 and a shield wire 33. The plurality of semiconductor devices 21 to 24 have recesses T21 to T24. A groove T20 parallel to the direction of an optical axis is formed on a side surface of the laminate body 20 by means of a plurality of the recesses T21 to T24 which correspond to each other. On recessed surfaces of the semiconductor devices 21 and 23, side electrodes 21C and 23C are mounted. The lead wire 31 and the shield wire 33 are housed in the recesses T21 and T23, the diameters R21 and R23 in accordance with diameters R31 and R33 of the lead wire 31 and the shield wire 33 have. The lead wire 31 is bonded to the side electrode 21C, and the shield wire 33 is bonded to the side electrode 23C.
