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METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR X-RAY DETECTORS
专利权人:
SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY CO LTD;シェンゼン・エクスペクトビジョン・テクノロジー・カンパニー・リミテッド
发明人:
CAO PEIYAN,カオ、ペイヤン,LIU YURUN,リウ、ユルン
申请号:
JP2019142426
公开号:
JP2020008587A
申请日:
2019.08.01
申请国别(地区):
JP
年份:
2020
代理人:
摘要:
To provide a method of making an X-ray detector with a large area and a large number of pixels.SOLUTION: A method of making an X-ray detector comprises: preparing a substrate 122 comprising electric contacts 125, and a first chip comprising a first X-ray absorption layer 110 having an individual electrode 114; and bonding the first X-ray absorption layer 110 to the substrate 122 such that the individual electrode 114 of the first X-ray absorption layer 110 is electrically connected to the electrical contacts 125 of the substrate 122.SELECTED DRAWING: Figure 4A【課題】大面積および多数のピクセルを有するX線検出器の製造方法を提供する。【解決手段】X線検出器の製造方法は、電気接点125を備える基板122と、第1のX線吸収層110を備え、個別電極114を有する第1のチップとを準備し、第1のX線吸収層110の個別電極114が、基板122の電気接点125に電気的に接続されるように、基板122と第1のX線吸収層110とを接合する。【選択図】図4A
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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