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一种富硒哈密瓜种植方法
- 专利权人:
- 淮南蔬心园商贸有限公司
- 发明人:
- 彭汉涛
- 申请号：
- CN201910733402.5
- 公开号：
- CN110495357A
- 申请日:
- 2019.09.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开一种富硒哈密瓜种植方法,包括以下步骤:步骤一、育种:选取籽粒饱满的哈密瓜种子,放置于培养箱中,进行育种;步骤二、育苗期:育苗期温度控制为白天28~35℃,夜间为8~10℃;步骤三、移栽:幼苗长度长至8~10cm后,取出幼苗,浸泡二级硒源溶液中30~60分钟;移栽后的幼苗间距为50~80cm;步骤四、栽种期:将二级硒源添加到肥料中;幼苗长度超过120cm后,保留幼苗末端的三个分叉,其他分叉继续剪断;步骤五、开花期:每个分支保留4~6个花蕾;步骤六、结果期:每个分支上摘除2~3个哈密瓜,其他继续保留生长。本发明具有多次提供硒源供种子、幼苗吸收,施加利于吸收的发酵有机肥料,提升哈密瓜产量,方便查看哈密瓜病虫害和收获采摘能力强的特点。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
