霍山石斛棚内栽培方法
- 专利权人:
- 平顶山学院
- 发明人:
- 李静婷,柳静,匡旭
- 申请号：
- CN201910765137.9
- 公开号：
- CN110326510A
- 申请日:
- 2019.19.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种霍山石斛棚内栽培方法,过程包括:炼苗:把生有3~4片叶、2~3个以上根的组培苗放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中,等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时达到炼苗要求;移栽:将炼好的瓶苗取出,放在盛有23℃左右的温水中,浸泡,洗净附着在根部的培养基,再用另一盆同温清水轻轻地漂洗干净,控水后浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中5分钟左右,捞出摊开,晾至根部发白;栽植在盛有栽培植料的容器或苗床上;栽培植料选用比例为1:3~5的碎石子和松鳞皮,碎石子用高锰酸钾溶液消毒,松鳞皮用高温堆闷法杀菌;栽后管理:将栽植好的霍山石斛幼苗,放置在大棚内,给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥,做好病虫害防治。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
