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一种在牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜
专利权人:
山东建筑大学
发明人:
岳雪涛,徐丽娜,张丰庆,田清波,李静,井敏
申请号:
CN201310159831.9
公开号:
CN103230342A
申请日:
2013.04.16
申请国别(地区):
CN
年份:
2013
代理人:
摘要:
本发明公开了一种在牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜,涉及利用化学法在牙釉质表面制备了具有一定结构和形貌的氟羟基磷灰石生长膜。其步骤为先将牙釉质样品放入30%磷酸中进行预处理,之后将牙釉质样品放入溶解了一定量的硝酸钙、磷酸氢二钠、乙二胺四乙酸二钠、氟化钠的溶液中浸泡,调节溶液的pH值和温度,经过3-7天,在牙釉质表面生长出棒状晶体,棒状晶体组成簇状结构分布在牙釉质表面,形成生长膜。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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