The invention photoresist and / or anti-reflective coating (SARC) with the upper substrate materials is from a composition and method for the removal of the material . The composition comprises a base compound , such as an oxidizing agent in combination with a strong base and a quaternary ammonium base , in combination with or in place of an alkali base or alkaline earth base . The composition , in the manufacture of integrated circuit devices , copper , aluminum and / or no damage to the SiOC -based dielectric material used in the semiconductor structure and the effect of the metal species on the substrate, such as a cobalt alloy , the photoresist and / or SARC material the high- efficient to remove , in an aqueous medium , for example , chelators , surfactants , and / or co- solvents may be used together with the species .본 발명은 포토레지스트 및/또는 반사-방지성 코팅(SARC) 물질들을 상부에 갖는 기판으로부터 상기 물질을 제거하기 위한 조성물 및 방법에 관한 것이다. 상기 조성물은 알카리 염기 또는 알카리 토류 염기와 배합된 4차 암모늄 염기, 또는 그 대신에 산화제와 배합된 강염기와 같은 염기 화합물을 포함한다. 상기 조성물은, 집적 회로 장치의 제조시, 구리, 알루미늄 및/또는 코발트 합금과 같은 기판상의 금속 종에 대한 효과 및 반도체 구조물에 사용된 SiOC계 유전체 물질에 대한 손상 없이, 포토레지스트 및/또는 SARC 물질들을 고-효율적으로 제거하기 위하여, 수성 매질에서, 예를 들어, 킬레이터, 계면활성제, 및/또는 공-용매 종과 함께 사용될 수 있다.
