您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

Komplex cisplatiny a zpusob jeho prípravy
专利权人:
ANORMED INC.
发明人:
WONG ERNEST S. Y.,GIANDOMENICO CHRISTEN M.
申请号:
CZ20013648
公开号:
CZ303156B6
申请日:
2000.04.11
申请国别(地区):
CZ
年份:
2012
代理人:
摘要:
Zpusob prípravy komplexu cisplatiny zahrnující kroky a) reakci [PtA.sub.4.n.].sup.2-.n. nebo jeho soli s L v aprotickém 1. rozpouštedle pri teplote 30 až 100 .degree.C za vzniku [PtA.sub.3.n. (L)].sup.-.n. za podmínky, že když 1. rozpouštedlem je DMF, teplota je pod 60 .degree.C; b) bez odparení 1. rozpouštedla, reakci [PtA.sub.3.n. (L)].sup.-.n.s L' ve 2. rozpouštedle za vzniku cis-[PtA.sub.2.n. (L')(L)]; c) v prípade, kdy komplex cisplatiny má obecný vzorec Ib a Y je halogen nebo hydroxy skupina, reakci cis [PtA.sub.2.n. (L')(L)], vzniklého v kroku (b), s H.sub.2.n.O.sub.2.n., kdy Y je hydroxy skupina, nebo s halogenem obsahujícího oxidacní cinidlo, kdy Y je halogen, za vzniku c,t,c-[PtA.sub.2.n.Y.sub.2.n. (L´)(L)]; a d) v prípade, kdy komplex cisplatiny má obecný vzorec Ib a Y je karboxylát, karbamátový nebo karbonátový ester, nejprve vznik [PtA.sub.2.n.OH.sub.2.n. (L')(L)] z [PtA.sub.2.n. (L')(L)] reakcí cis-[PtA.sub.2.n. (L')(L)], vzniklého v kroku (b), s H.sub.2.n.O.sub.2.n., a poté reakci [PtA.sub.2.n.OH.sub.2.n. (L')(L)] s acylacním cinidlem za vzniku [PtA.sub.2.n.Y.sub.2.n. (L')(L)]; pricemž L a L' jsou rozdílné a každý je amin nebo substituovaný amin, který se koordinuje s atomem platiny pres atom N, a je heterocyklický amin nebo heteroaromatický amin obsahující 1 nebo 2 atomy N, nebo je NRR'R'', kde substituenty R, R' a R'' jsou nezávisle vybrány ze skupiny sestávající se z atomu H, alifatických uhlovodíkových retezcu majících 1-4 atomy C; s výhradou spocívající v tom, že pouze L' muže být NH.sub.3.n.; a kde A muže být stejné nebo rozdílné a je halogenidová odstupující skupina; a Y je hydroxy skupina, nebo acetát.In the present invention, there is disclosed a process for preparing a cisplatinum complex comprising: la) a first step, wherein [PtA4]e2- of a salt thereof is reacted with L at a temperature ranging from 30 to 100 degC in a first aprotic solvent to form [PtA3 (L)]e- with the proviso that when the first solvent is DMF the temperature is below 60
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
相关发明人
相关专利

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充