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光合成装置
- 专利权人:
- 富士通株式会社
- 发明人:
- 岡本 直哉
- 申请号：
- JP20160513517
- 公开号：
- JPWO2015159348(A1)
- 申请日:
- 2014.04.14
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 半導体基板に形成された溝部と、前記半導体基板において、前記溝部の一方の側面に形成された第１の導電型領域と、前記半導体基板において、前記溝部の他方の側面に形成された第２の導電型領域と、前記溝部の一方の側面における前記第１の導電型領域に接して形成された酸化電極と、前記溝部の他方の側面における前記第２の導電型領域に接して形成された還元電極と、前記溝部の中央部分に形成されるプロトン隔壁膜と、を有し、前記溝部には二酸化炭素の含まれた水が供給されており、前記酸化電極または前記還元電極に光を照射することにより、前記酸化電極において、水より酸素と水素イオンが生成され、生成された水素イオンは、前記プロトン隔壁膜を透過し、前記還元電極において、二酸化炭素と反応してギ酸を生成することを特徴とする
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
