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イオン照射装置及び該装置を用いた表面分析装置
- 专利权人:
- 株式会社島津製作所
- 发明人:
- 古橋 治,出水 秀明
- 申请号：
- JP20150230616
- 公开号：
- JP2017098142(A)
- 申请日:
- 2015.11.26
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】投射型結像法によるTOF-SIMSにおいて試料に照射される一次イオンの時間広がりを抑えることで、質量分解能、質量精度を向上させる。【解決手段】一次イオンを試料Ｓの表面まで導くイオンビーム案内部３として、イオンを直交方向に加速する直交加速部４、無電場の飛行空間５、反射電場を形成するイオンリフレクタ６を含む、時間収束性を達成するリフレクトロンTOFMSのイオン光学系を用いる。イオンリフレクタとしてデュアルステージ式のものを用い、マミリン解を満たす二次収束位置よりも奥側の、一様電場の直線的な勾配を有する電位に所定の非線形の電位分布を示す補正電位を重畳させることによって、直交加速部３から出射されるイオンパケットの時間的な広がりはエネルギの三次以上のずれまで補正され、高い時間収束性が達成される
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
