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一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法
- 专利权人:
- 中国科学院深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 李腾跃,吴天准,孙滨,杜学敏
- 申请号：
- CN201610534964.3
- 公开号：
- CN106054519A
- 申请日:
- 2016.07.07
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，包括：在硅衬底上形成第一光刻胶层，在第一光刻胶层上形成第一绝缘层；形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与第一光刻胶层至硅衬底的上表面的孔洞，并在孔洞内填充金属以形成金属体；形成一端与金属体的上表面连接的金属引线；金属引线的另一端连接焊盘；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；第二绝缘层覆盖金属体的上表面以及金属引线；去除硅衬底，使金属体的下表面暴露出来；去除第一光刻胶层，使金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。本发明通过在光刻胶上进行干法刻蚀形成三维结构，工艺相比现有的技术进行了简化，制作成本也大大降低。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
