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STRUCTURE DE SUPPORT SENSIBLE À LA TEMPÉRATURE POUR DISPOSITIFS D'IMAGERIE INTRALUMINAUX
专利权人:
KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人:
DAVIDSEN, Richard, Edward
申请号:
EPEP2017/075052
公开号:
WO2018/065400A1
申请日:
2017.10.03
申请国别(地区):
EP
年份:
2018
代理人:
摘要:
An imaging catheter assembly is provided. In one embodiment, the imaging catheter assembly includes a flexible elongate member including a distal portion and a proximal portion; and an imaging component coupled to the distal portion of the flexible elongate member, wherein the imaging component includes: an integrated circuit (IC) layer that includes a semiconductor material; an array of ultrasound transducer elements coupled to a first side of the IC layer; and a backing layer coupled to a second side of the IC layer opposite the first side, wherein the backing layer includes a backing material, and wherein a coefficient of thermal expansion (CTE) difference between the semiconductor material and the backing material is less than 23 parts per million per degree Centigrade (ppm/C).L'invention concerne un ensemble cathéter d'imagerie. Dans un mode de réalisation, l'ensemble cathéter d'imagerie comprend un élément allongé flexible comprenant une partie distale et une partie proximale ; et un composant d'imagerie couplé à la partie distale de l'élément allongé flexible, le composant d'imagerie comprenant : une couche de circuit intégré (CI) qui comprend un matériau semi-conducteur ; un réseau d'éléments transducteurs ultrasonores couplé à un premier côté de la couche CI ; et une couche de support couplée à un second côté de la couche CI opposé au premier côté, la couche de support comprenant un matériau de support, et une différence de coefficient de dilatation thermique (CTE) entre le matériau semi-conducteur et le matériau de support est inférieure à 23 parties par million par degré Centigrade (ppm/C).
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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