一种脑磁测量头盔的设计和标定方法
- 专利权人:
- 北京航空航天大学
- 发明人:
- 宁晓琳,曹富智,安楠,房建成,韩邦成
- 申请号：
- CN202010103345.5
- 公开号：
- CN111289926A
- 申请日:
- 2020.19.02
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种脑磁测量头盔的设计和标定方法。头戴式脑磁测量头盔的设计是根据三维扫描的头部实际形状外扩1cm作为头盔曲面,按照SERF原子磁强计的尺寸布置插槽,在头盔上标记三个基准点用于后续各插槽位置及方向的坐标转换。配合所设计的有基准点标记的头盔,使用三维光学扫描仪或者点位置追踪器确定佩戴头盔时的人脑和头盔的三个基准点,根据坐标系转换关系,由插槽上下表面中心位置坐标实现人脑坐标系下头盔各插槽位置及方向的标定。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
