培育富硒大蒜植物材料的方法

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专利权人:

苏州硒谷科技有限公司

发明人:

李飞,朱晨光

申请号：

CN201110424015.7

公开号：

CN102511280A

申请日:

2011.12.19

申请国别(地区):

中国

年份:

2012

代理人:

范晴

摘要：

本发明公开了一种培育富硒大蒜植物材料的方法，所述富硒大蒜植物材料中硒含量在3mg/kg~1500mg/kg，且以硒甲基硒代半胱氨酸形态存在的硒占总硒含量比例的80%以上，其特征在于所述方法包括在大蒜的生长过程中在大蒜生长介质中加入硒源，用硒源调节生长介质中硒含量为0.2~100mg/kg，并同时加入将生长介质整体或局部环境pH值调节成7~8的碱性物质的步骤。该方法从不同硒浓度梯度的获取硒源，并且具有较好的硒形态结果，解决了现有技术中植物材料硒持久性不长，易于在环境中被还原及利用率有限等缺陷。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/