您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

Histone reading domain blocking small molecule
专利权人:
ユニバーシティ オブ コペンハーゲン;ユニバーシティ オブ コペンハーゲン;メモリアル スローン ケタリング キャンサー センター
发明人:
グロス, アーニャ,サレディ, ジュリア,ホアン, ホンダ,ハモンド, コリン,パテル, ディンショー,グロス, アーニャ,サレディ, ジュリア,ホアン, ホンダ,ハモンド, コリン,パテル, ディンショー
申请号:
JP2018516825
公开号:
JP2018537411A
申请日:
2016.09.30
申请国别(地区):
JP
年份:
2018
代理人:
摘要:
The present invention relates to a small molecule that impairs the conformational space of TONSL ARD occupied by the histone H4 tail. These small molecules target the binding pocket of TONSL, including H4 residues K12-R23, and the binding of H4 tails K12-R23 to TONSL ARD is either through direct competition or through the binding pocket of allosteric. Stop or destroy through destruction. The inventors have identified and elucidated the structure of the TONSL histone reading domain called ARD (Ankyrin Repeat Domain). [Selection] Figure 1本発明は、ヒストンH4尾部が占めるTONSL ARDの立体構造空間に障害を与える低分子に関する。これらの低分子は、H4残基K12~R23を包含するTONSLの結合ポケットを標的とし、H4尾部K12~R23とTONSL ARDとの結合を、直接的な競合を介するか、またはアロステリックによる結合ポケットの破壊を介して阻止または破壊する。本願発明者らは、ARD(アンキリンリピートドメイン)と呼ばれる、TONSLのヒストン読み取りドメインの構造を同定し、明らかにした。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
相关发明人
相关专利

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充