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非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器
专利权人:
中国科学院半导体研究所
发明人:
宋国峰,张祖银,胡海峰,王丽娜,马勋鹏,李康文
申请号:
CN201410056974.1
公开号:
CN103808691A
申请日:
2014.02.19
申请国别(地区):
中国
年份:
2014
代理人:
曹玲柱
摘要:
本发明提供了一种非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器。该折射率传感器包括:绝缘衬底,其至少单面抛光;金属薄膜反射层,沉积于衬底的抛光面上;透明介质层,沉积金属薄膜反射层上;以及二维金属单元阵列,形成于透明介质层上,该二维金属单元阵列中的每一金属单元为非对称单元,其是由两个沿衬底表面排列的金属纳米柱构成,每一金属单元的两金属纳米柱与位于其正下方的金属薄膜反射层之间构成一F-P腔回路。本发明折射率传感器结合了非对称粒子Fano共振效应以及把LSP模式和FP腔模进行耦合,可以降低传感器共振谷的半高宽,从而提升了局域表面等离子体传感器性能。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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