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イオン発生装置およびそれを備える電気機器
专利权人:
SHARP CORP
发明人:
TOKAI ICHIRO,東海 伊知郎
申请号:
JP2012139850
公开号:
JP2014006972A
申请日:
2012.06.21
申请国别(地区):
JP
年份:
2014
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion generating device which can prevent that a generation amount of ions decreases as time lapses.SOLUTION: Ion generating device 10, which has electrodes 51a, 51b, 52a and 52b, comprises an ion generation section 5 for generating ions when a high voltage is applied to the electrodes 51a, 51b, 52a and 52b, a high voltage application circuit 3 for creating a high voltage to apply the created high voltage to the electrodes 51a, 51b, 52a and 52b, and a control circuit 4 for controlling the high voltage application circuit 3. The control circuit 4 has a first operation mode of controlling the high voltage application circuit 3 so as to apply a first high voltage to the electrodes 51a, 51b, 52a and 52b, and a second operation mode of controlling the high voltage application circuit 3 so as to apply a second high voltage having a higher voltage value than the first high voltage to the electrodes 51a, 51b, 52a and 52b, and control by the second operation mode is inserted into control by the first operation mode.COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT【課題】時間の経過にともなってイオンの発生量が減少することを抑制可能なイオン発生装置を提供する。【解決手段】イオン発生装置10は、電極51a,51b,52a,52bを有し、電極51a,51b,52a,52bに高電圧が印加されるとイオンを発生させるイオン発生部5と、高電圧を生成して電極51a,51b,52a,52bに印加する高電圧印加回路3と、高電圧印加回路3を制御する制御回路4とを備える。制御回路4は、第1の高電圧を電極51a,51b,52a,52bに印加させるように高電圧印加回路3を制御する第1の動作モードと、第1の高電圧よりも電圧値が高い第2の高電圧を電極51a,51b,52a,52bに印加させるように高電圧印加回路3を制御する第2の動作モードとを有し、第1の動作モードによる制御中に第2の動作モードによる制御を挿入する。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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