金银花组培苗生根培养基及生根培养方法
- 专利权人:
- 重庆文理学院
- 发明人:
- 陈泽雄,刘奕清,娄娟
- 申请号：
- CN201310533464.4
- 公开号：
- CN103548689A
- 申请日:
- 2013.11.01
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 张瑾
- 摘要：
- 本发明公开了一种金银花组培苗生根培养基及生根培养方法；所述生根培养基是以1/2MS培养基为基本培养基，并添加有吲哚-3-丁酸0.5mg/L和活性炭0.05mg/L；培养条件为：培养温度为25±2℃，先散光培养1天后，转入光照强度为1500～2000lx、光照时间为12h/d的条件下培养。本发明鉴于金银花组培苗生根率低的现状，通过实验研究不同激素及其浓度、培养条件以及添加物等因素对金银花组培苗生根的影响，找到了最佳激素及浓度和最佳的外界培养条件，金银花生根苗根长可达到1.2cm、平均根数3.6条、生根率100%、无愈伤组织、有根毛形成。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
