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一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法
- 专利权人:
- 上海空间推进研究所
- 发明人:
- 马纪龙,宋凡,张祎玲,刘泽敏,于康,潘攀,陈晓江,姜叶斌,曹丹
- 申请号：
- CN201810858655.0
- 公开号：
- CN108857033A
- 申请日:
- 2018.07.31
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 李佳俊`郭国中
- 摘要：
- 本发明公开了一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，包括如下步骤：S1、完成零件装配，焊缝端面或轴向错边量≤0.05mm，间隙≤0.05mm；S2、通类组件的点焊定位；焊接工艺参数为：电子束加速电压35～45kV，聚焦束流(表面聚焦束流‑25mA)，余弦扫描函数，扫描频率150Hz，扫描幅度2.5～3.5，焊接速度15～20mm/s S3、将完成点焊定位的通类组件装夹到焊机三爪卡盘上；S4、焊缝质量检查。本发明杜绝了原有带锁底结构通类组件电子束单面焊接后反面机加工成型方法的工艺流程复杂、易产生毛刺、气孔等问题，解决了单面焊双面成型的反面易产生飞溅的问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
