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Radiation detector with organic photodiode
专利权人:
コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
发明人:
シモン マティアス,ヨリッツマ ヨリット
申请号:
JP2015517891
公开号:
JP2015529793A
申请日:
2013.06.13
申请国别(地区):
JP
年份:
2015
代理人:
摘要:
The present invention relates to a radiation detector having an organic photodiode and a method for producing such a radiation detector. The TFT backplanes 103 and 104 are arranged between the scintillator 101 and the organic photodiode layer stacks 105, 106, 107 and 108. This indicates the use of transparent TFT-electronics, which can be, for example, a-Si with thin glass behind, or an organic TFT on foil. The geometric order allows for a large number of possible stack stacks for OPD and has encapsulation and manufacturing advantages.本発明は、有機フォトダイオードを有する放射線検出器及びこのような放射線検出器を生成する方法に関する。TFTバックプレーン103、104が、シンチレータ101と有機フォトダイオード層スタック105、106、107、108との間に配置される。これは、透明なTFT-エレクトロニクスの使用を示し、例えば、後方を薄層化されたガラスを有するa-Si、又はフォイル上の有機TFTでありうる。幾何学的順序は、OPDのための可能性のある多数のスタック積層体を可能にし、カプセル化及び製造の利点を有する。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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