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一种原位合成氧化物弥散强化CoCrW合金及其制备方法
- 专利权人:
- 广东省科学院材料与加工研究所
- 发明人:
- 刘辛,毛新华,施麒,李克峰
- 申请号：
- CN202010983838.2
- 公开号：
- CN112322921A
- 申请日:
- 2020.09.17
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种原位合成氧化物弥散强化CoCrW合金的制备方法，包括以下步骤：将CoCrW合金粉末在惰性气体氛围中进行激光融化处理得到原位合成氧化物弥散强化CoCrW合金，气体氛围中的氧气含量为200～2000ppm，CoCrW合金粉末中含有Si元素，CoCrW合金粉末中的Si元素的重量含量为0.1％～2％。本发明的制备方法通过选区激光熔化技术，在CoCrW合金中原位合成球形/近球形纳米氧化物弥散沉淀相，该相为非晶态，因此与CoCrW合金基体的界面无晶格适配问题，界面过渡层结合紧密。本发明的原位合成氧化物弥散强化CoCrW合金内大量均匀分布有氧化物弥散沉淀相，氧化物弥散沉淀相的存在显著提高了CoCrW合金与陶瓷的结合能力，避免了裂纹和“崩瓷”现象，延长了烤瓷牙使用寿命。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
