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使用外部磁体的具有霍尔传感器的单轴传感器(SAS)
- 专利权人:
- 韦伯斯特生物官能(以色列)有限公司
- 发明人:
- V.格林纳,A.戈瓦里
- 申请号：
- CN201910831618.5
- 公开号：
- CN110870790A
- 申请日:
- 2019.04.09
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明题为“使用外部磁体的具有霍尔传感器的单轴传感器(SAS)”。提供了一种基于导管的跟踪系统,该跟踪系统包括一个或多个场发生器和处理器。与磁共振成像(MRI)系统相邻地定位的一个或多个场发生器被配置成施加交流(AC)磁场。该处理器被配置成接收信号,该信号响应于AC磁场而在单轴传感器(SAS)中产生,该单轴传感器装配在插入患者的器官中的导管的远侧端部处;基于从SAS接收的信号来计算远侧端部的方向;从装配在导管的远侧端部处的霍尔效应传感器接收磁共振成像(MRI)系统的直流(DC)磁场的感测分量;以及基于所计算的方向和DC磁场的感测分量来计算远侧端部在器官内的滚转角。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
