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HIGH-RESOLUTION 3D IMAGING OF SINGLE SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
专利权人:
Massachusetts Institute of Technology
发明人:
HUANG, Hao,YAO, Yu,DEWEY, C. Forbes,BAWENDI, Moungi G.
申请号:
EP08865911
公开号:
EP2193468A4
申请日:
2008.09.26
申请国别(地区):
EP
年份:
2017
代理人:
摘要:
A method of imaging microscopic objects includes determining the relative depths of two or more semiconductor nanocrystals by analyzing images of the semiconductor nanocrystals at varying z-displacements.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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