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高茎尖诱导率和组培质量的多头菊脱毒培养基质及方法
- 专利权人:
- 浙江省农业科学院
- 发明人:
- 郭方其,吴超,袁峰,黑银秀,柴金甫,刘君,丁晓瑜,徐智豪,黎侠
- 申请号：
- CN201910632890.0
- 公开号：
- CN110679482A
- 申请日:
- 2019.15.07
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开一种高茎尖诱导率和组培质量的多头菊脱毒培养基质及方法,属于植物培育栽培技术领域,本发明的组培基质由分阶段依次顺序使用的茎段芽诱导培养基组合、脱毒茎尖诱导培养基组合、增殖培养基组合、生根培养基组合组成,诱导培养基组合包括外植体诱导与增值培养基+继代培养基、外植体初代诱导培养基+继代培养基;脱毒茎尖诱导培养基组合包括外植体诱导与增值培养基+续代培养基、茎尖诱导培养基Ⅰ+茎尖诱导基本培养基I、茎尖诱导培养基Ⅱ+续代培养基:本发明解决菊花品种退化和生长势减弱,影响切花品质,同时茎尖培养诱导率低,组培培育质量较差,种苗无法高效大规模化生产的问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
