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郁金香的薄层培养方法
- 专利权人:
- 天津滨海国际花卉科技园区股份有限公司
- 发明人:
- 杨铁顺
- 申请号:
- CN201010537688.9
- 公开号:
- CN102090332A
- 申请日:
- 2010.11.10
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 赵庆
- 摘要:
- 本发明涉及花卉繁殖方法领域;特别是球根花卉繁殖方法领域。郁金香的薄层培养方法,将郁金香鳞片纵切或横切成0.1mm~5mm的薄层,平铺于培养基上;诱导增殖培养基为每升附加6-BA 1.0~2.0mg,NAA 0.1~1.0mg,2,4-D 1.0~4.0mg,蔗糖20g和琼脂6g的MS培养基;培养条件为温度23±2℃;光照强度1500~2000Lx,光照时间为16h/d。本发明具有的优点和积极效果:组培鳞茎诱导率达100%,诱导的组培苗生长健壮,同时其来源不受季节限制,组培鳞片为薄层培养材料较好的来源。切割方式对于鳞茎的诱导有差异,采用横向切割的鳞片的分化率和鳞茎诱导数均高于纵向切割的鳞片。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址:
- http://www.ckcest.cn/home/