Miguel Labayen de Inza,Fabrice Dierre,Björn Kreisler,Daniel Niederlöhner,Christian Schröter,Matthias Strassburg
申请号：
DE102012213410
公开号：
DE102012213410B3
申请日:
2012.07.31
申请国别(地区):
DE
年份:
2013
代理人:
摘要：
Die Erfindung betrifft einen direktkonvertierenden Röntgenstrahlungsdetektor (C3, C5) zur Detektion von Röntgenstrahlung, zumindest aufweisend einen zur Detektion von Röntgenstrahlung verwendeten Halbleiter (1), und mindestens eine auf dem Halbleiter (1) aufgebrachte Elektrode (2), wobei der Halbleiter (1) und die mindestens eine Elektrode (2) elektrisch leitend verbunden sind, wobei die mindestens eine Elektrode (2) transparent und elektrisch leitend ausgebildet ist. Weiter betrifft die Erfindung ein CT-System (C1), zumindest aufweisend einen erfindungsgemäßen direktkonvertierenden Röntgenstrahlungsdetektor (C3, C5).The present invention relates to a directly converting x-ray detector (c3, c5) for the detection of x-rays, at least comprising a for the detection of x-rays employed semiconductors (1), and at least one on the semiconductor (1), applied by the electrode (2), wherein the semiconductor (1) and the at least one electrode (2) are connected in an electrically conductive manner, wherein the at least one electrode (2) is transparent and is made electrically conductive. Furthermore, the invention relates to a ct - a system (c1), at least comprising a directly converting according to the invention, the x-ray detector (c3, c5).
