COMPUTER IMPLEMENTED METHOD FOR DETERMINING INTRINSIC PARAMETER IN A STACKED NANOWIRES MOSFET

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专利权人:

Commissariat a L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives

发明人:

ROZEAU Olivier,JAUD Marie-Anne,LACORD Joris,MARTINIE Sébastien,POIROUX Thierry

申请号：

US201715827206

公开号：

US2018156749(A1)

申请日:

2017.11.30

申请国别(地区):

美国

年份:

2018

代理人:

摘要：

Embodiments of the invention determine intrinsic parameters of stacked nanowires/nanosheets GAA MOSFETs comprising Nw nanowires and/or nanosheets, each nanowire/nanosheet being surrounded in an oxide layer, the oxide layers being embedded in a common gate, wherein the method comprises the following steps:

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/