PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress that a reading period per one frame lengthens, and to suppress influences of incidental image characteristics.SOLUTION: A pixel 20, for each column, has a TFT switch 50 whose control terminal is connected to a scanning wire 52 in order to short-circuit a semiconductor layer 21 to be a photodiode. In a state that a TFT switch 4 and the TFT switch 50 are turned off, in a sensor part 103, electric charge generated in the semiconductor layer 21 depending on radiation is accumulated in a lower electrode 11. The TFT switch 4 is turned on while the TFT switch 50 remains in off state, and the electric charge accumulated in the sensor part 103 is read out. After completion of read of the electric charge, the TFT switch 4 is turned off and the TFT switch 50 is turned on to short-circuit the sensor part 103, and thereby, an electric charge amount Q that is a saturation amount is accumulated in the sensor part 103. When the short-circuit operation of the sensor part 103 is completed, the TFT switch 50 is turned off and the TFT switch 4 is turned on to discharge the electric charge from the sensor part 103 and reset the sensor part 103.COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT【課題】1フレーム当たりの読み出し期間が長くなるのを抑制すると共に、残像特性の影響を抑制できる。【解決手段】画素20は、フォトダイオードとなる半導体層21を短絡させるために、行毎に、制御端子が走査配線52に接続されたTFTスイッチ50を備えている。TFTスイッチ4及びTFTスイッチ50がオフ状態において、センサ部103では、放射線に応じて半導体層21で発生した電荷が下部電極11に蓄積される。TFTスイッチ50をオフ状態のまま、TFTスイッチ4をオン状態にし、センサ部103に蓄積された電荷を読み出す。電荷の読み出し終了後、TFTスイッチ4をオフ状態にし、TFTスイッチ50をオン状態にし、センサ部103を短絡させてセンサ部103に飽和量である電荷量Qを蓄積させる。センサ部103の短絡動作が終了すると、TFTスイッチ50をオフ状態にし、TFTスイッチ4をオン状態にして、センサ部103から電荷を放出させてリセットする。【選択図】図1
