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中性子源リチウムターゲット及びその製造方法
专利权人:
JAPAN ATOMIC ENERGY AGENCY
发明人:
ISHIYAMA SHINTARO,石山 新太郎,BABA YUJI,馬場 祐治,IMAHORI YOSHIO,今堀 良夫,FUJII AKIRA,藤井 亮,NAKAMURA MASARU,中村 勝
申请号:
JP2012227247
公开号:
JP2014081211A
申请日:
2012.10.12
申请国别(地区):
JP
年份:
2014
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem in practical use of a small neutron source, such as peeling of a Li film from a Cu cooling base.SOLUTION: A neutron source lithium target that generates neutrons in response to radiation and injection of protons, and a method of manufacturing the target are provided. The neutron source lithium target has a four layer structure of Cu/Pd/Li/Li3N in which Pd, Li, are Li3N sequentially stacked on a Cu base as a cooling base, and generates neutrons by a 7Li(p,n)7Be reaction caused by an action of protons on a Li layer.COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT【課題】Li膜のCu冷却基盤からの剥離など、小型中性子源の実用化上の課題を解決すること。【解決手段】プロトンの照射注入を受けて中性子を発生する、中性子源リチウムターゲット及びその製造方法である。中性子源リチウムターゲットは、冷却基盤であるCu基盤上にPd、Li、Li3Nが順次積層されたCu/Pd/Li/Li3Nの4層構造を有し、プロトンのLi層への作用によって起こる、7Li(p,n)7Be反応によって、中性子が発生させられる。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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