一种富锗木薯的栽培方法
- 专利权人:
- 包宗辉
- 发明人:
- 包宗辉
- 申请号：
- CN201610504057.4
- 公开号：
- CN106134719A
- 申请日:
- 2016.06.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 但玉梅
- 摘要：
- 本发明提供一种富锗木薯的栽培方法，属于农业种植技术领域。该栽培方法包括以下步骤：品种选择、整地施肥、套种花生、田间管理和采收。其中，所述整地施肥是在种植之前的3‑5个月，选择阳光充足、土层深厚的砂质土壤地块，将土壤深翻36‑38cm后暴晒，翻耕深度为36‑38cm，暴晒时间为20‑‑35天；然后进行第二次深翻，深翻时在土壤中拌入草木灰和二氧化锗的混合物，再自然放置10‑20天；在种植前5‑20天对土壤施基肥；基肥的施用量为每亩施有机肥1600‑1800kg，磷酸二氢钙2‑4kg，尿素8‑10kg。本发明通过栽培方法和施肥方法的改变，提高木薯中的有机锗含量。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
