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一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法
- 专利权人:
- 内蒙古大学
- 发明人:
- 王丹,王丽红,杨倩,赵东平
- 申请号：
- CN202110674151.5
- 公开号：
- CN113273494A
- 申请日:
- 2021.06.17
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明属于苔藓植物扩繁培养技术领域，具体涉及一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法。首先，本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基，所述培养基以Beneck培养基为基础培养基，以蔗糖为碳源，添加植物激素IBA或2，4‑D 0.5‑2.5mg/L、琼脂8‑10g/L制成。其次，本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁方法，包括：(1)用0.05‑0.1％HgCl2对卷叶墙藓外植体表面进行处理；(2)将消毒处理后的卷叶墙藓外植体接种在所述的培养基上进行培养。本发明填补现有技术中卷叶墙藓配子体扩繁技术领域的空白，实现了人工大量快速扩繁卷叶墙藓配子体，为卷叶墙藓生物学特性研究奠定了基础。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
