INSTITUTUL NA&TcedilIONAL DE CERCETARE-DEZVOLTARE PENTRU FIZICA MATERIALELOR (INCDFM)
发明人:
STAN GEORGE,STAN GEORGE,POPA ADRIAN-CLAUDIU,POPA ADRIAN-CLAUDIU
申请号：
RO201400639
公开号：
RO130068A0
申请日:
2014.08.21
申请国别(地区):
RO
年份:
2015
代理人:
摘要：
The invention relates to a method for producing a dental implant coated with thin layers of bioactive glass, free of alkali elements, synthetized by radio frequency magnetron field sputtering technology, the implant exhibiting a rapid osseointegration in the process of dental restoration. According to the invention, the method consists in the biofunctionalization of the implant external surface by radio frequency magnetron field plasma sputtering under a 100% argon atmosphere, at a pressure of 0.45 Pa, at a power of 75 W, the target-sublayer distance of 25 mm and a low deposition temperature < 150° C, said deposition algorithm allowing some amorphous continuous and uniform submicron thin films of 500 nm to be deposited on the three-dimensional implant sublayers of screw type, the films reproducing with fidelity the composition and complex structure of the source material, and being made of bioactive glass, free of alkali elements, of the compositional family SiO-CaO-MgO-PO-ZnO-SrO with a thermal expansion coefficient close to the coefficient of titanium and its alloys, capable to ensure the bioactive glass layers a very good adherence to the three-dimensional metal sublayer > 60 MPa and a high biomineralization capacity.Invenţia se referă la o metodă de realizare a unui implant dentar acoperit cu straturi subţiri de sticlă bioactivă, fără elemente alcaline, sintetizat prin tehnologia pulverizării în câmp magnetron în regim de radiofrecvenţă, implantul având osteointegrare rapidă în procesul de restaurare dentară. Metoda conform invenţiei constă în biofuncţionalizarea suprafeţei exterioare a implantului, prin pulverizare în plasmă, în câmp magnetron în regim de radiofrecvenţă într-o atmosferă de 100% argon, la o presiune de 0,45 Pa, putere de 75 W, distanţa ţintă-substrat de 25 mm şi o temperatură joasă de depunere < 150°C, acest algoritm de depunere permiţând depunerea pe substraturile implantologice tridimensionale tip şurub a unor filme subţiri amorfe, submicronic
