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一种盛放脑部深核团记录金属电极的装置
- 专利权人:
- 中国人民解放军军事科学院军事医学研究院
- 发明人:
- 翁谢川
- 申请号：
- CN202121175783.9
- 公开号：
- CN213963653U
- 申请日:
- 2021.05.28
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本申请提供了一种盛放脑部深核团记录金属电极的装置。所述盛放脑部深核团记录金属电极的装置包括：盒本体，所述盒本体具有一个容纳空间；缓冲海绵，所述缓冲海绵设置在所述容纳空间内，所述缓冲海绵上设置有用于容置脑部深核团记录金属电极的容纳槽；温度传感器，所述温度传感器设置在所述缓冲海绵内部；加热器，所述加热器设置在所述盒本体外部，用于为所述盒本体进行加热；总控制器，所述总控制器安装在所述缓冲海绵内部。本申请的盛放脑部深核团记录金属电极的装置的缓冲海绵可以防止外力冲击脑部深核团记录金属电极，并且在缓冲海绵上设置有容纳槽可以将脑部深核团记录金属电极整个放入，从而从各个方向包裹住脑部深核团记录金属电极。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
