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プラズマ処置システム
专利权人:
オリンパス株式会社
发明人:
石川 学,木村 修一,渡辺 宏一郎
申请号:
JP2015545541
公开号:
JPWO2015156158A1
申请日:
2015.03.27
申请国别(地区):
JP
年份:
2017
代理人:
摘要:
In the plasma treatment system, the temperature detection section for detecting the temperature of the perfusion layer of the conductive solution is fixed to the treatment section, and in a state where the first electrode section and the second electrode section are immersed in the perfusion layer, the perfusion It is located at a position soaked in the layer. In the plasma treatment system, based on the detection result of the temperature detection unit, the control unit adjusts the temperature in the temperature adjustment unit and adjusts the temperature in the temperature adjustment unit so that the temperature of the perfusion layer is within the target temperature range, The supply amount and the suction amount of the sex solution are controlled to adjust the temperature of the conductive solution in the perfusion layer.プラズマ処置システムでは、導電性溶液の灌流層の温度を検知する温度検知部は、処置部に固定され、第1の電極部と第2の電極部が前記灌流層に浸った状態において、前記灌流層に浸る位置に位置している。前記プラズマ処置システムでは、前記温度検知部での検知結果に基づいて、前記灌流層の前記温度が目標の温度範囲になる状態に、制御部が温度調整ユニットでの温度の調整、及び、前記導電性溶液の供給量及び吸引量を制御し、前記潅流層での前記導電性溶液の温度を調整している。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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