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撮像パネル、および撮像パネルの製造方法、レントゲン装置、並びに撮像装置
专利权人:
SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORP
发明人:
KODAMA TAKESHI,児玉 健,IGARASHI TAKAHIRO,五十嵐 崇裕,OKA SHUICHI,岡 修一,YANAGAWA SHUSAKU,柳川 周作
申请号:
JP2016248802
公开号:
JP2018107161A
申请日:
2016.12.22
申请国别(地区):
JP
年份:
2018
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent electrostatic destruction during manufacture without causing a decrease in sensor performance.SOLUTION: Photodiodes with attached MOS switches are mounted in a sensor area and an electro static discharge (ESD) countermeasure area at the periphery thereof. During manufacture, a photodiode in the ESD countermeasure area is caused to function as an ESD countermeasure element, and the photodiode in the ESD countermeasure area is removed in the final step of manufacture. The present disclosure may be adapted for a roentgen device.SELECTED DRAWING: Figure 3【課題】センサとしての性能を低下させることなく、製造中の静電破壊を防止できるようにする。【解決手段】MOSスイッチが付加されたフォトダイオードをセンサエリアと、その周辺のESD(Electro Static Discharge)対策エリアとに実装し、製造中においては、ESD対策エリアのフォトダイオードをESD対策素子として機能させ、製造の最終工程において、ESD対策エリアのフォトダイオードを除去する。本開示は、レントゲン装置に適応することができる。【選択図】図3
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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