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一种室外霍山石斛的栽培方法
专利权人:
安徽中升生物科技有限公司
发明人:
谢升旺
申请号:
CN201310195943.X
公开号:
CN103314739A
申请日:
2013.05.24
申请国别(地区):
中国
年份:
2013
代理人:
余成俊
摘要:
本发明公开一种室外霍山石斛的栽培方法,(1)、在山地中砌成宽1-1.2米、高是20-25cm的栽培池,池底铺设一层3-5cm厚的底料,所述的底料由下列重量份的原料混合而成:河砂10-12、锯末5-6、3-4cm碎砖渣2-3、菜园土8-10、草木灰1-2、蚕砂1-2、生石灰1-2;(2)、铺栽培料:在底料上铺上栽培料,所铺的厚度为15-20cm;采用本方法种霍山石斛,可实现1年采收,而且石斛各种营养成份含量较高,其药用效果可达到野生石斛效果。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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