一种基于磁纳米粒子交流磁化率虚部的成像方法
- 专利权人:
- 华中科技大学
- 发明人:
- 皮仕强,刘文中,何乐,王秀英
- 申请号：
- CN201410699206.8
- 公开号：
- CN104473642A
- 申请日:
- 2014.11.27
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开一种磁纳米粒子浓度成像方法，其主要创新在于采用交流磁化率的虚部来进行浓度成像，有效提高磁纳米粒子成像的空间分辨率。对磁纳米粒子施加交流磁场和直流梯度磁场，检测出一次谐波幅值和相位。利用幅值差和相位差或直接利用磁化强度变化量计算出磁纳米粒子交流磁化率的实部和虚部。通过控制直流梯度磁场的零磁场点位置，求解出不同空间位置的磁纳米粒子交流磁化率的实部和虚部，进而利用交流磁化率的虚部实现磁纳米浓度成像。从仿真数据来看，利用交流磁化率虚部进行浓度成像可以很好地提高磁纳米成像的空间分辨率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
