The array of CMUT cells has a DC bias voltage that is coupled to the top electrode of the cell to bias the electrodes to the desired collapsed state or partially collapsed state. The fuse is coupled in series with the bottom electrode of the cell and opens and isolates the individual cell from the other still functioning cells of the array if the individual cell fails. In a preferred embodiment, the cell is coupled to a control integrated circuit, such as a microbeamformer circuit, and the fuse is formed of a semiconductor material having an integrated circuit, thereby making the MUT surface region available for high density MUT processing. . Damage to the integrated circuit due to a short circuit of the DC bias current through the failed cell is prevented.CMUTセルのアレイは、電極を所望の崩壊状態又は部分的に崩壊状態にバイアスするようにセルの上部電極に結合されるDCバイアス電圧を有する。 ヒューズは、セルの下部電極と直列に結合され、個々のセルが故障した場合に、アレイの他のまだ機能しているセルから個々のセルを開き、分離する。 好ましい実施形態では、セルは、マイクロビームフォーマ回路などの制御集積回路に結合され、ヒューズは、集積回路を有する半導体材料で形成され、それによって、MUT表面領域は高密度MUT加工に利用可能になる。 故障セルを通るDCバイアス電流の短絡による集積回路への損傷が防止される。
