一种旱藕高产栽培方法
- 专利权人:
- 韦云勇
- 发明人:
- 韦云勇
- 申请号：
- CN201610906162.0
- 公开号：
- CN106508344A
- 申请日:
- 2016.10.17
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 但玉梅
- 摘要：
- 本发明涉及种植技术领域，具体是一种旱藕高产栽培方法，包括以下步骤：种植地选择及土壤改良、田间管理。种植地选择及土壤改良：选择土地疏松、地势平坦、通风排水良好的坡地，种植地前1‑2个月对地块进行深耕40‑50cm，播种前3‑5天再进行细耙，使土壤充分细碎，然后开沟做眭；在眭挖种植穴，两种植穴间距50‑70cm，在种植穴填入土壤调节物A，回填三分之一表土，再填入土壤调节物B，回填三分之一表土，剩下表土与自制肥料混合回填；田间管理：包括栽种、追肥管理、中耕除草和虫害防治。本发明具有提高旱藕产量，减少化肥使用，提高土壤肥力，促进农民增收的优点。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
