高强度高阻尼Ti₂AlC‑Mg基复合材料及其铸造制备方法

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专利权人:

北京交通大学

发明人:

于文波,黄振莺,翟洪祥,李世波,周洋

申请号：

CN201710232463.4

公开号：

CN107119218A

申请日:

2017.04.11

申请国别(地区):

中国

年份:

2017

代理人:

董琪

摘要：

本发明公布了一种高强度高阻尼Ti₂AlC‑Mg基复合材料及其铸造制备方法。该材料中Ti₂AlC的体积含量为5‑20vol％，其余为Mg基合金。该材料的显微结构为陶瓷相Ti₂AlC与金属相Mg基合金各自呈三维空间连续分布，其中陶瓷相Ti₂AlC颗粒分布在Mg基体晶界处，原位拉伸实验表明，二者界面结合牢固，裂纹萌生在Ti₂AlC晶粒中，而不是两相的界面处。制备方法：将Mg合金在CO₂/SF₆保护气氛下熔化再降温至450‑550℃，把不同粒径的Ti₂AlC粉体加入到高速搅拌的半固态Mg熔体中。在半固态状态搅拌30‑60mins结束后,重新加热到680‑750℃并搅拌。最后，将含有Ti₂AlC的Mg熔体浇铸到不锈钢磨具中保压50‑100MPa冷却至室温。与纯的Mg合金相比，该材料具有更高的强度、更高的阻尼和更好的耐磨性等显著特点，可广泛用于航天、军

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/