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一种显著降低萝卜镉积累并促进其生长的方法
专利权人:
四川农业大学
发明人:
唐懿,李焕秀,李晓梅,林立金,廖明安,孙国超,谢永东,谭华强
申请号:
CN201710474121.3
公开号:
CN107278652A
申请日:
2017.06.21
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
黎祖琴
摘要:
本发明提供一种显著降低萝卜镉积累并促进其生长的方法,其包括如下步骤:当萝卜幼苗展开两片真叶时,利用浓度为50~200μmol·L‑1的褪黑素进行叶面喷施,喷施量以叶面滴水为度。本发明能显著的降低萝卜中的镉含量;显著提高萝卜的光合色素含量、抗氧化酶活性和生物量;本发明可有效的缓解镉对于萝卜生长的抑制作用。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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