Methods of fabricating these devices as well as microfabricated ultrasonic transducers integrated with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) substrates are described. Fabrication may involve two separate wafer bonding steps. Wafer bonding can be used to fabricate cavities 306 sealed within the substrate 302. Wafer bonding can also be used to bond the substrate 302 to another substrate 304, such as a CMOS wafer. At least the second wafer bonding can be performed at a low temperature.상보형 금속 산화물 반도체(CMOS) 기판과 통합된 미세가공된 초음파 트랜스듀서들뿐만 아니라 이러한 디바이스들의 제작 방법들이 설명된다. 제작은 2개의 별개의 웨이퍼 본딩 단계를 수반할 수 있다. 웨이퍼 본딩은 기판(302) 내에 밀봉된 캐비티들(306)을 제작하는 데 이용될 수 있다. 웨이퍼 본딩은 또한, 기판(302)을 CMOS 웨이퍼와 같은 다른 기판(304)에 본딩하는 데 이용될 수 있다. 적어도 제2 웨이퍼 본딩이 저온에서 수행될 수 있다.
